IMD 101 DEMO PROGRAM 操作說明

IMD 101 DEMO PROGRAM 操作說明:

注意事項:

1. 須配合 MDT 提供之 DEMO CIRCUIT(IMD101&102) 使用
2. 執行程式前先將 DEMO BOARD 之 711 PATH 切換為 5X PATH
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demo10P21.asm // STAGE1_I/O testing :
demo10P22.asm //
demo10P23.asm // (1)PA.PB 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PB執行跑馬燈程式,同時 PA 由 PA0 開始點亮至 PA7 為止
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 01H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PA.PB 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PB 8DH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址(8DH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 0DH)
(RAM 00H ~ 0CH 的部份位址供特殊暫存器及副程式迴圈使用, 所以將 RAM testing 設定為從 0DH 開始)
(3)PB 顯示 8DH ~ FFH 值
(4)PB FFH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址(FFH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 7FH)
(5)測試完畢,PA.PB 將維持 02H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PA.PB 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PA.PB 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PA0/PB0 將左旋至 PA7/PB7 為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(4)測試完畢,PA.PB 將維持 03H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PA.PB 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PA 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB HI/LO byte 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 04H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳回 STAGE1




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demo2005.asm // STAGE1_I/O testing :
demo2010.asm //
(1)PA.PB 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PB執行跑馬燈程式,同時 PA 由 PA0 開始點亮至 PA3 為止
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 01H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PA.PB 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PB EDH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址(EDH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 0DH)
(RAM 00H ~ 0CH 的部份位址供特殊暫存器及副程式迴圈使用, 所以將 RAM testing 設定為從 0DH 開始)
(3)PB 顯示 EDH ~ FFH 值
(4)PB FFH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址(FFH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 1FH)
(5)測試完畢,PA.PB 將維持 02H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PA.PB 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PB 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PB0 將左旋至 PB7 為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(4)測試完畢,PA.PB 將維持 03H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PA.PB 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PA 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB HI/LO byte 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 04H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳回 STAGE1




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demo2030.asm // STAGE1_I/O testing :

(1)PA.PB 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PB執行跑馬燈程式,同時 PA 由 PA0 開始點亮至 PA3 為止
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 01H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PA.PB 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PB 8DH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址(8DH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 0DH)
(RAM 00H ~ 0CH 的部份位址供特殊暫存器及副程式迴圈使用, 所以將 RAM testing 設定為從 0DH 開始)
(3)PB 顯示 8DH ~ FFH 值
(4)PB FFH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址(FFH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 7FH)
(5)測試完畢,PA.PB 將維持 02H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PA.PB 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PB 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PB0 將左旋至 PB7 為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(4)測試完畢,PA.PB 將維持 03H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PA.PB 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PA 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB HI/LO byte 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 04H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳回 STAGE1




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demo2015.asm // STAGE1_I/O testing :

(1)PA.PB.PC 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PB.PC 執行跑馬燈程式,同時 PA 由 PA0 開始點亮至 PA3 為止
(3)測試完畢,PA.PB.PC 將維持 01H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PA.PB.PC 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PB EDH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址(EDH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 0DH)
(RAM 00H ~ 0CH 的部份位址供特殊暫存器及副程式迴圈使用, 所以將 RAM testing 設定為從 0DH 開始)
(3)PB 顯示 EDH ~ FFH 值
(4)PB FFH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址(FFH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 1FH)
(5)測試完畢,PA.PB.PC 將維持 02H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PA.PB.PC 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PB 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PB0 將左旋至 PB7 為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(4)測試完畢,PA.PB.PC 將維持 03H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PA.PB.PC 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PA 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB.PC HI/LO byte 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 04H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳回 STAGE1




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demo2020.asm // STAGE1_I/O testing :

(1)PA.PB.PC 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PB.PC 執行跑馬燈程式,同時 PA 由 PA0 開始點亮至 PA3 為止
(3)測試完畢,PA.PB.PC 將維持 01H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PA.PB.PC 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PB 8DH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址(8DH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 0DH)
(RAM 00H ~ 0CH 的部份位址供特殊暫存器及副程式迴圈使用, 所以將 RAM testing 設定為從 0DH 開始)
(3)PB 顯示 8DH ~ FFH 值
(4)PB FFH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址(FFH 事實上是 MSR 中之值,實際位址為 7FH)
(5)測試完畢,PA.PB.PC 將維持 02H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PA.PB.PC 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PB 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PB0 將左旋至 PB7 為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(4)測試完畢,PA.PB.PC 將維持 03H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PA.PB.PC 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PA 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB.PC HI/LO byte 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PA.PB 將維持 04H 輸出值,直到按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳回 STAGE1




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demo10P55A1.asm // STAGE1_I/O testing : (將 DEMO BOARD 之 JP5.JP6 接上; PB3 接至 MCLR 鍵執行 reset 及 pin change wake-up 功能)

(1)PB.PC 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PC0 ~ PC5 執行跑馬燈程式,同時 PB 由 PB0 開始點亮至 PB5 為止(但 PB3 不會亮,因其無法切換成 output mode)
(3)測試完畢,PC 將維持 01H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PB.PC 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PC 0FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址, 又因 RAM address 之 Hi byte 由 PB2~PB0 顯示
所以將 PB2~PB0 及 PC5~PC0 共 8 個 bit 合併來看可觀察到其會依序輸出 0FH~7FH 值
(3)PB2~PB0 及 PC5~PC0 7FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址
(3)測試完畢,PC 將維持 02H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PB.PC 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PC 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PC0 將左旋至 PC5,接著 PB0 左旋至 PB2為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 03H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PB.PC 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PC 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB b1/b0 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 04H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE




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demo10P55A2.asm // STAGE1_I/O testing : (將 DEMO BOARD 之 JP5.JP6 取下; PB3 接至 MCLR 鍵執行 reset 及 pin change wake-up 功能)

(1)PB.PC 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PC0 ~ PC5 執行跑馬燈程式,同時 PB 由 PB0 開始點亮至 PB2 為止
(3)測試完畢,PC 將維持 01H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PB.PC 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PC 0FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址, 又因 RAM address 之 Hi byte 由 PB2~PB0 顯示
所以將 PB2~PB0 及 PC5~PC0 共 8 個 bit 合併來看可觀察到其會依序輸出 0FH~7FH 值
(3)PB2~PB0 及 PC5~PC0 7FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址
(3)測試完畢,PC 將維持 02H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PB.PC 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PC 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PC0 將左旋至 PC5,接著 PB0 左旋至 PB2為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 03H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PB.PC 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PC 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB b1/b0 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 04H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB3 其中之一因 pin change wake-up 功能作動始執行跳關程序跳至下一 STAGE




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demo10P55A3.asm // STAGE1_I/O testing : (將 DEMO BOARD 之 JP5.JP6 接上; PB3 接至 MCLR 鍵執行 reset 及 pin change wake-up 功能)

(1)PB.PC 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PC0 ~ PC5 執行跑馬燈程式,同時 PB 由 PB0 開始點亮至 PB5 為止(但 PB3 不會亮,因其無法切換成 output mode)
(3)測試完畢,PC 將維持 01H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PB.PC 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PC 0FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址, 又因 RAM address 之 Hi byte 由 PB2~PB0 顯示
所以將 PB2~PB0 及 PC5~PC0 共 8 個 bit 合併來看可觀察到其會依序輸出 0FH~7FH 值
(3)PB2~PB0 及 PC5~PC0 7FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址
(3)測試完畢,PC 將維持 02H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PB.PC 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PC 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PC0 將左旋至 PC5,接著 PB0 左旋至 PB2為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 03H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PB.PC 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PC 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB b1/b0 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 04H 輸出值,直到 PB0.PB1.PB4 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE




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demo10P55A4.asm // STAGE1_I/O testing : (將 DEMO BOARD 之 JP5.JP6 取下; PB3 接至 MCLR 鍵執行 reset 及 pin change wake-up 功能)

(1)PB.PC 01H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE1
(2)PC0 ~ PC5 執行跑馬燈程式,同時 PB 由 PB0 開始點亮至 PB2 為止
(3)測試完畢,PC 將維持 01H 輸出值,直到 PB0.PB1 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE2_RAM testing :

(1)PB.PC 02H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE2
(2)PC 0FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之起始位址, 又因 RAM address 之 Hi byte 由 PB2~PB0 顯示
所以將 PB2~PB0 及 PC5~PC0 共 8 個 bit 合併來看可觀察到其會依序輸出 0FH~7FH 值
(3)PB2~PB0 及 PC5~PC0 7FH 閃爍三次, 此為 RAM testing 之結束位址
(3)測試完畢,PC 將維持 02H 輸出值,直到 PB0.PB1 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE3_RTCC testing :

(1)PB.PC 03H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE3
(2)外部 RTCC 測試, PC 將反應出按下 RTCC 鍵的次數, 其中
1~ 7 次 trig edge 為 Hi > Lo
8~14 次 trig edge 為 Lo > Hi
(3)按下第 15 次時開始執行內部 RTCC 測試,
PC0 將左旋至 PC5,接著 PB0 左旋至 PB2為止, 且每左旋一個位置其間隔時間將因 RTCC 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 03H 輸出值,直到 PB0.PB1 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE

STAGE4_WDT testing :

(1)PB.PC 04H 值閃爍三次, 代表已進入STAGE4
(2)PC 由 01H 開始顯示至 08H 為止, 同時 PB b1/b0 相對位置交替變換作 SWAP 動作,
且每交替之間隔時間將因 WDT 使用 prescaler 比例的加大而變長
(3)測試完畢,PC 將維持 04H 輸出值,直到 PB0.PB1 其中之一因 pin change wake-up 功能作動
或按下 MCLR 鍵始執行跳關程序跳至下一 STAGE